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[[ファイル:NPN emitter follower.svg|thumb|130px|図1: 基本的なコレクタ接地回路(バイアスの詳細を省略)]] '''コレクタ接地回路'''または'''コレクタ共通回路'''([[英語|英]]: '''Common collector''')とは、[[バイポーラトランジスタ]]を使った基本的な[[増幅回路]]構成の1つであり、電圧利得一定で入力電圧に従って出力電圧が変化する。エミッタが入力電圧に追随(フォロー)することから、'''エミッタフォロワ'''([[英語|英]]: '''emitter follower''')とも呼ばれる。[[電界効果トランジスタ]]で構成される同等の増幅回路は[[ドレイン接地回路]](またはドレイン共通回路)と呼ぶ。 緩衝作用として、インピーダンス変換作用がある。例えば、電圧源が高い[[テブナンの定理|テブナン抵抗]]を伴っているとき、この回路を使えば、小さな抵抗を伴った出力に変換できる。これにより電圧源がより理想的なものとなる。<!-- Conversely, a voltage follower inserted between a small load resistance and a driving stage presents a large load to the driving stage, an advantage in coupling a voltage signal to a small load. --> 図1に示されるように、コレクタは[[電源回路]](電圧源)に接続され、ベースが入力、エミッタが出力として使われる。PNP型の場合を図2に示す。 == 応用 == [[ファイル:PNP emitter follower.svg|thumb|130px|図2: エミッタフォロワ回路のPNP版。全ての極性が反転している。]] コレクタ接地回路は[[電圧]][[利得 (電気工学)|利得]]がほぼ1(0db)である。 {{Indent|<math> {A_\mathrm{v}} = {v_\mathrm{out} \over v_\mathrm{in}} \approx 1 </math>}} 従って、入力電圧の微妙な変化が出力にも現れる(トランジスタの性能や負荷抵抗にも依存する)。[[入力インピーダンス]]が高く、前置される回路の負荷とならない<ref>[http://zebu.uoregon.edu/~rayfrey/431/lab3_431.pdf Transistor Circuits and JFETs]</ref>。 {{Indent|<math> r_\mathrm{in} \approx \beta_0 R_\mathrm{E} </math>}} そして、[[内部抵抗|出力インピーダンス]]が低いので、低抵抗の負荷を駆動できる。 {{Indent|<math> r_\mathrm{out} \approx R_\mathrm{E} \| {R_\mathrm{source} \over \beta_0} </math>}} 一般に、エミッタ抵抗は非常に大きいので、上記式から除くことができる。 {{Indent|<math> r_\mathrm{out} \approx {R_\mathrm{source} \over \beta_0} </math>}} これにより、出力インピーダンスの大きい信号源が小さい[[負荷インピーダンス]]を駆動できる。すなわち、コレクタ接地回路は電圧緩衝増幅器(バッファアンプ)として機能する。言い換えれば、電圧利得の代わりに電流利得がある(トランジスタの h<sub>FE</sub> に依存する)。入力電流の小さな変化は出力電流の大きな変化となって現れる。 この構成は、スピーカーのような低インピーダンスの負荷を駆動するオーディオアンプなどの[[増幅回路]]の出力段などによく使われる。A級オーディオアンプでは、線形性や効率を改善するために R<sub>E</sub> の代わりに能動的な電流源が使われることもある<ref>[http://sound.westhost.com/project10.htm 20 Watt Class-A Power Amplifier]</ref>。 == 特性 == 低周波数で単純化した[[ハイブリッドπモデル]]を使うと、下記のような特性が得られる(二重の縦棒は[[直列回路と並列回路#並列回路|並列な部品]]を意味する)。 {| class="wikitable" style="background:white;text-align:left" ! !! 定義 !! 式 !! 近似式 !! 条件 |- ! [[利得 (電気工学)|電流利得]] |<math> {A_\mathrm{i}} = {i_\mathrm{out} \over i_\mathrm{in}} </math> |<math> \beta_0 + 1 \ </math> |<math> \approx \beta_0 </math> |<math> \beta_0 \gg 1 </math> |- ! [[利得 (電気工学)|電圧利得]] |<math> {A_\mathrm{v}} = {v_\mathrm{out} \over v_\mathrm{in}} </math> |<math> {g_m R_\mathrm{E} \over g_m R_\mathrm{E} + 1} </math> |<math> \approx 1 </math> |<math> g_m R_\mathrm{E} \gg 1 </math> |- ! [[入力抵抗]] |<math> r_\mathrm{in} = \frac{v_{in}}{i_{in}}</math> |<math> r_\pi + (\beta_0 + 1) R_\mathrm{E}\ </math> |<math> \approx \beta_0 R_\mathrm{E} </math> |<math> (g_m R_\mathrm{E} \gg 1) \wedge (\beta_0 \gg 1) </math> |- ! [[内部抵抗|出力抵抗]] |<math> r_\mathrm{out} = \frac{v_{out}}{i_{out}}</math> |<math> R_\mathrm{E} || \left( {r_\pi + R_\mathrm{source} \over \beta_0 + 1} \right) </math> |<math> \approx {1 \over g_m} + {R_\mathrm{source} \over \beta_0}</math> |<math> (\beta_0 \gg 1) \wedge (r_\mathrm{in} \gg R_\mathrm{source})</math> |} ここで <math>R_\mathrm{source} \ </math> は[[テブナンの定理|テブナン]]等価なソース抵抗である。 ==関連項目== *[[増幅回路]] == 脚注 == {{Reflist}} ==外部リンク== * [http://people.deas.harvard.edu/~jones/es154/lectures/lecture_3/bjt_amps/bjt_amps.html Basic BJT Amplifier Configurations] * [http://230nsc1.phy-astr.gsu.edu/hbase/electronic/npncc.html NPN Common Collector Amplifier] — HyperPhysics {{トランジスタ増幅器}} {{DEFAULTSORT:これくたせつちかいろ}} [[Category:アナログ回路]]
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