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{{Chembox | Verifiedfields = changed | Watchedfields = changed | verifiedrevid = 418231687 | Reference = <ref name="hand" >{{Citation | last = Lide | first = David R. | year = 1998 | title = Handbook of Chemistry and Physics | edition = 87 | location = Boca Raton, Florida | publisher = CRC Press | isbn = 978-0-8493-0594-8 |ref={{harvid|CRC Handbook}} | pages = 4–65 }}</ref>{{sfn|CRC Handbook|pages = 5–24}}<ref>{{Cite journal | last = Lawson | first = William D | year = 1951 | title = A method of growing single crystals of lead telluride and selenide | volume = 22 | issue = 12 | doi = 10.1063/1.1699890 | pages = 1444–1447 | journal = [[Journal of Applied Physics|J. Appl. Phys.]] }}</ref> | ImageFile = | ImageSize = | ImageName = | IUPACName = | OtherNames = Lead(II) telluride<br>[[Altaite]] |Section1={{Chembox Identifiers | CASNo = 1314-91-6 | CASNo_Ref = {{cascite|correct|CAS}} | PubChem = 4389803 }} |Section2={{Chembox Properties | Formula = PbTe | MolarMass = 334.80 g/mol | Appearance = 灰色の[[立方晶系|立方晶]] | Density = 8.164 g/cm<sup>3</sup> | MeltingPtC = 924 | MeltingPt_notes = | BoilingPt = | Solubility = 不溶 | BandGap = 0.25 eV (0 K)<br/>0.32 eV (300 K) | ElectronMobility = 1600 cm<sup>2</sup> V<sup>−1</sup> s<sup>−1</sup> (0 K)<br/>6000 cm<sup>2</sup> V<sup>−1</sup> s<sup>−1</sup> (300 K) | ThermalConductivity = | RefractIndex = }} |Section3={{Chembox Structure | CrystalStruct = [[岩塩]]（立方）、[[ピアソン記号|cF8]] | SpaceGroup = Fm<u style="text-decoration:overline">3</u>m, No. 225 | Coordination = 八面体 (Pb<sup>2+</sup>)<br/>八面体 (Te<sup>2−</sup>) | LattConst_a = 6.46 }} |Section4={{Chembox Thermochemistry | DeltaHf = -70.7 kJ·mol<sup>−1</sup> | DeltaHc = 110.0 J·mol<sup>−1</sup>·K<sup>−1</sup> | Entropy = 50.5 J·mol<sup>−1</sup>·K<sup>−1</sup> | HeatCapacity = }} |Section7={{Chembox Hazards | ExternalSDS = [http://www.espimetals.com/index.php/component/content/article/622-lead-telluride/639-lead-telluride External MSDS] | EUClass = Repr. Cat. 1/3<br/>Harmful ('''Xn''')<br/>Dangerous for the environment ('''N''') | RPhrases = {{R61}}, {{R20/22}}, {{R33}}, {{R62}}, {{R50/53}} | SPhrases = {{S53}}, {{S45}}, {{S60}}, {{S61}} | NFPA-H = | NFPA-F = | NFPA-R = | NFPA-S = | FlashPt = 不燃性 }} |Section8={{Chembox Related | OtherAnions = [[酸化鉛(II)]]<br/>[[硫化鉛(II)]]<br/>[[セレン化鉛]] | OtherCations = [[一テルル化炭素]]<br/>[[一テルル化ケイ素]]<br/>[[テルル化ゲルマニウム]]<br/>[[テルル化スズ]] | OtherCompounds = [[テルル化タリウム]]<br/>[[テルル化ビスマス]] }} }} '''テルル化鉛'''は[[鉛]]と[[テルル]]の化合物。化学式はPbTe。陽イオンを占めるPb原子と陰イオン格子を形成するTeがNaClの結晶構造で結晶化する。0.32eVのバンドギャップを持つ[[ナローギャップ半導体]]である<ref>{{Cite journal|title = Nanostructured Thermoelectrics: The New Paradigm? †|journal = Chemistry of Materials|date = 2009-10-07|pages = 648–659|volume = 22|issue = 3|doi = 10.1021/cm902195j|first = Mercouri G.|last = Kanatzidis}}</ref>。[[テルル鉛鉱]]として自然に生じる。 == 性質 == * [[比誘電率]] ~1000. * 電子の[[有効質量]] ~ 0.01[[電子質量|''m''<sub>e</sub>]] * 正孔移動度μ<sub>p</sub> = 600 cm<sup>2</sup> V<sup>−1</sup> s<sup>−1</sup> (0 K); 4000 cm<sup>2</sup> V<sup>−1</sup> s<sup>−1</sup> (300 K) == 用途 == PbTeは非常に重要な中間[[熱電材料]]であることが示されている。熱電材料の性能は性能指数<math>ZT=S^2\sigma T/\kappa</math>（<math>S</math>は[[ゼーベック係数]]、<math>\sigma</math>は[[電気伝導率]]、<math>\kappa</math>は[[熱伝導率]]）で評価できる。材料の熱電性能を向上させるには力率(<math>S^2\sigma</math>)を最大化し、熱伝導率を最小化する必要がある<ref>{{Cite journal |title = High performance bulk thermoelectrics via a panoscopic approach|journal = Materials Today|date = 2013-05-01|pages = 166–176|volume = 16|issue = 5|doi = 10.1016/j.mattod.2013.05.004|first = Jiaqing|last = He|first2 = Mercouri G.|last2 = Kanatzidis|first3 = Vinayak P.|last3 = Dravid |doi-access = free}}</ref>。 PbTeシステムは、バンドエンジニアリングによって力率を改善し発電用途に最適化することができる。適切なドーパントでn型もしくはp型のどちらかにドープすることができる。ハロゲンがp型ドーピング剤としてよく使われる。PbCl2, PbBr2およびPbI2はドナー中心を作るために一般的に使われる。Bi2Te3, TaTe2, MnTe2などの他のn型ドーピング剤はPbの代わりになり帯電していない空のPbサイトを生成する。これらの空のサイトはその後過剰な鉛からの原子により埋められ、これらの空の原子の価電子は結晶を通して拡散する。一般的なp型ドーピング剤は、Na2Te, K2TeおよびAg2Teである。これらはTeの代わりに空の帯電していないTeサイトを作り出す。これらの際とはイオン化されて追加の正孔を生成するTe原子で埋められる<ref>{{Cite journal |title = Lead telluride as a thermoelectric material for thermoelectric power generation|journal = Physica B: Condensed Matter|date = 2002-09-01|pages = 205–223|volume = 322|issue = 1–2|doi = 10.1016/S0921-4526(02)01187-0|first = Z. H.|last = Dughaish }}</ref>。バンドギャップエンジニアリングにより、PbTeの最大のzTは~650Kで0.8 - 1.0と報告されている。 ノースウェスタン大学における共同研究では「全規模階層型アーキテクチャ」(all-scale hierarchical architecturing)を使用して熱伝導率を大幅に低減しPbTeのzTを向上させた<ref>{{Cite journal|title = Strained endotaxial nanostructures with high thermoelectric figure of merit|journal = Nature Chemistry|date = 2011-02-01|issn = 1755-4330|pages = 160–166|volume = 3|issue = 2|doi = 10.1038/nchem.955|first = Kanishka|last = Biswas|first2 = Jiaqing|last2 = He|first3 = Qichun|last3 = Zhang|first4 = Guoyu|last4 = Wang|first5 = Ctirad|last5 = Uher|first6 = Vinayak P.|last6 = Dravid|first7 = Mercouri G.|last7 = Kanatzidis|pmid=21258390}}</ref>。このアプローチで点欠陥、ナノスケール析出物、メソスケール結晶粒界は電荷キャリア輸送に影響を与えることなく、平均自由行程が異なるフォノンの有効的な散乱中心として導入される。この手法を適用することにより、NaドープPbTe-SrTeシステムで達成されたPbTeのzTの記録値は約2.2である<ref>{{Cite journal|title = High-performance bulk thermoelectrics with all-scale hierarchical architectures|journal = Nature|date = 2012-09-20|issn = 0028-0836|pages = 414–418|volume = 489|issue = 7416|doi = 10.1038/nature11439|first = Kanishka|last = Biswas|first2 = Jiaqing|last2 = He|first3 = Ivan D.|last3 = Blum|first4 = Chun-I.|last4 = Wu|first5 = Timothy P.|last5 = Hogan|first6 = David N.|last6 = Seidman|first7 = Vinayak P.|last7 = Dravid|first8 = Mercouri G.|last8 = Kanatzidis|pmid=22996556}}</ref>。 さらに、PbTeはしばしばスズと合金化して[[テルル化鉛スズ]]を作る。これは[[赤外線検出器]]の材料として使用される。 == 脚注 == {{脚注ヘルプ}} {{Reflist}} == 関連項目 == * [[硫化鉛(II)]] * {{ill|セレン化鉛|en|Lead selenide}} * {{ill|Yellow Duckling|en|Yellow Duckling}}、テルル化鉛を使用した最初の[[赤外線カメラ|赤外線ラインスキャンカメラ]] == 外部リンク == * [https://web.archive.org/web/20080111154608/http://www.npi.gov.au/database/substance-info/profiles/50.html National Pollutant Inventory Lead and compounds fact sheet] * [http://www.webelements.com/webelements/compounds/text/Pb/Pb1Te1-1314916.html Webelements] {{鉛の化合物}} {{DEFAULTSORT:てるるかなまり}} [[Category:鉛の化合物]] [[Category:テルル化物]]
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