阻止能のソースを表示

[[ファイル:Radioactivity_and_radiation.png|サムネイル|[[放射性崩壊]]、その結果放出される[[電離放射線]]、および検出法の関係を表した図。]]
[[核物理学]]および材料物理学における'''阻止能'''（そしのう、{{Lang-en-short|Stopping power}}）とは、[[荷電粒子]]（多くの場合[[アルファ粒子]]、[[ベータ粒子]]）が物質との相互作用によって減速しエネルギーを失う程度を表す量である<ref name="Bra05">{{Cite journal|last=Bragg|first=W. H.|date=1905|title=On the α particles of radium, and their loss of range in passing through various atoms and molecules|journal=Phil. Mag.|volume=10|page=318}}</ref><ref name="Boh13">{{Cite journal|last=Bohr|first=N.|date=1913|title=On the Theory of the Decrease of Velocity of Moving          Electrified Particles on passing through Matter|journal=Phil. Mag.|volume=25|page=10}}</ref>。放射線防護、[[イオン注入]]、[[核医学]]、[[放射線治療]]・[[粒子線治療]]などの分野で重要な位置を占める<ref name="ICRU73">ICRU Report 73: Stopping of Ions heavier than Helium, Journal of the ICRU, 5 No. 1 (2005), Oxford Univ. Press {{ISBN2|0-19-857012-0}}</ref>。 

== 阻止能の定義とブラッグ曲線 ==
粒子は物質を通過するときにエネルギーを失う。これは荷電粒子であるか非荷電粒子であるかによらないが、以下では主に荷電粒子について考える。ある材料の阻止能 {{Mvar|S}} は移動距離 {{Mvar|x}} 当たりに失うエネルギー {{Mvar|E}} と等しい。 

: <math>S(E) = -dE/dx </math>

右辺の負符号により、エネルギーの損失（ {{Math|''dE''/''dx'' < 0}} ）に対して阻止能 {{Mvar|S}} は正になる。阻止能は[[粒子放射線|放射粒子]]の種類とエネルギー、通過する材料の性質によって決まる。

[[イオン (化学)|イオン]]対（通常は陽イオンと電子の組）の生成には決まった大きさのエネルギーが必要なので（たとえば乾燥空気中では33.97 [[電子ボルト|eV]]<ref>{{Cite book|title=Radiation Oncology Physics: A Handbook for Teachers and Students|year=2005|publisher=International Atomic Energy Agency|location=Vienna|isbn=978-92-0-107304-4|url=http://www-pub.iaea.org/mtcd/publications/pdf/pub1196_web.pdf|editor=Podgorsak, E. B.|accessdate=25 November 2012}}</ref>{{Rp|305}}）、移動距離当たりの[[電離]]数は阻止能に比例する。

上式で定義される'''線阻止能'''は[[国際単位系]]で[[ニュートン (単位)|N]]の単位を持つが、[[電子ボルト|MeV]]/[[ミリメートル|mm]]など別の単位で表されることが多い。同じ物質の気体と固体を比較すると、密度の違いのみから線阻止能に大きな差が生まれる。そこでしばしば阻止能を材料密度 {{Math|''ρ''}} で割った'''質量阻止能''' {{Math|''S''/''ρ''}} が用いられる。この量は国際単位系で[[メートル|m]]<sup>4</sup>/[[秒|s]]<sup>2</sup>の単位を持つが、通常はMeV/(mg/cm<sup>2</sup>)のような単位で表される。質量阻止能は材料の密度にほとんど依存しない。
[[ファイル:Bragg Curve for Alphas in Air-PT-en.svg|サムネイル| 空気中を進む5.49 MeVの[[アルファ粒子]]についての[[ブラッグ曲線]]。 ]]
通常、阻止能は{{仮リンク|飛程|en|Range (particle radiation)|label=}}（粒子が停止するまでに飛ぶ距離）の終端に近づくにつれて増加し、最大値（ブラッグピーク）に達した直後にエネルギーがゼロに低下する。阻止能を材料深さの関数として表した曲線を[[ブラッグ曲線]]と呼ぶ。[[Radiation therapy|放射線治療]]ではブラッグ曲線は実用上大きな意味を持っている。

5.49 [[電子ボルト|MeV]]のアルファ粒子が空気中を飛ぶ間に阻止能が増加して最大値に達する様子を右上図に示す。このエネルギーの値は空気中にわずかに存在する気体状の天然[[放射能|放射性]]同位体[[ラドン]] (<sup>222</sup>Rn) が放出するアルファ放射に相当する。 

阻止能の逆数をエネルギーで[[積分法|積分]]すると、「連続減速近似（CSDA）」における平均飛程が求められる<ref name="icru16">{{Cite book|last=International Commission on Radiation Units and Measurements|title=Linear Energy Transfer|year=1970|location=Washington D.C.|isbn=978-0913394090|url=http://epub.ub.uni-muenchen.de/8949/1/8949.pdf|accessdate=1 December 2012|id=ICRU report 16}}</ref>。 

: <math>\Delta x=\int_{0}^{E_0}\frac{1}{S(E)}\, dE</math>

ここで {{Math|''E''<sub>0</sub>}} は粒子が最初に持っていた運動エネルギー、{{Math|&Delta;''x''}} は飛程、{{Math|''S''(''E'')}} は線阻止能である。 

物質内でイオンがたどった全経路長にわたって阻止能を積分することで、周囲に与えられたエネルギーの総量が得られる。

== 電子的阻止能、核的阻止能、放射阻止能 ==
{{See also|ベーテの式}}
'''電子的阻止能'''とは、媒質中を移動するイオンが媒質の[[束縛電子]]との[[非弾性衝突]]によって減速される効果を表す。「非弾性」という用語は衝突の過程で運動エネルギーが失われることを示している（失われたエネルギーは、媒質束縛電子とイオン電子雲の両者の励起に使われる）。線電子的阻止能は放出される[[二次電子]]の運動エネルギーに制限がない場合の{{仮リンク|線エネルギー付与|en|Linear energy transfer|label=}}と一致する<ref>{{Cite journal|author=多田 順一郎|year=2012|title=線量 ─第3回─|url=https://www.jrias.or.jp/books/pdf/2012012_TRACER_TADA.pdf|journal=Isotope News|volume=|issue=704|page=|pages=25-33|accessdate=2019-09-21}}</ref>。 

イオンが電子と衝突する回数は莫大なものであり、また媒質中を移動するイオンの荷電状態は常に変化しうるため、あらゆる可能な荷電状態についてあらゆる相互作用を考慮するのは非常に難しい。そこで電子的阻止能を、異なる荷電状態に対するあらゆるエネルギー損失過程の平均を表す単純な関数 {{Math|''F''<sub>e</sub>(''E'')}} として扱うことが多い。[[核子]]1個あたりのエネルギーが数百keVを超える領域では、数%の精度で関数 {{Math|''F''<sub>e</sub>(''E'')}} を理論的に決定することができる。その理論的な枠組みはいくつかあるが、[[ベーテの式]]がもっともよく知られている。核子1個のエネルギーが100 keVを下回る領域においては、電子的阻止能を解析的モデルによって決定することは困難になる<ref>P. Sigmund: [https://books.google.com/books?id=24st-gh4QHIC&pg=PP1 Stopping of heavy ions]. Springer Tracts in Modern Physics Vol. 204 (2004) {{ISBN2|3-540-22273-1}}</ref>。近年では、低エネルギー領域を含む幅広い範囲のエネルギーについて、リアルタイムの[[時間依存密度汎関数法]]によって様々なイオン＝ターゲット系の電子的阻止能を正確に求めることが可能になっている<ref>{{Cite journal|last=Zeb|first=M. Ahsan|last2=Kohanoff|first2=J.|last3=Sánchez-Portal|first3=D.|last4=Arnau|first4=A.|last5=Juaristi|first5=J. I.|last6=Artacho|first6=Emilio|date=2012-05-31|title=Electronic Stopping Power in Gold: The Role of $d$ Electrons and the $\mathbf{H}/\mathrm{He}$ Anomaly|url=https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.108.225504|journal=Physical Review Letters|volume=108|issue=22|pages=225504|arxiv=1205.1728|doi=10.1103/PhysRevLett.108.225504}}</ref><ref>{{Cite journal|last=Ullah|first=Rafi|last2=Corsetti|first2=Fabiano|last3=Sánchez-Portal|first3=Daniel|last4=Artacho|first4=Emilio|date=2015-03-11|title=Electronic stopping power in a narrow band gap semiconductor from first principles|url=https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.91.125203|journal=Physical Review B|volume=91|issue=12|pages=125203|arxiv=1410.6642|doi=10.1103/PhysRevB.91.125203}}</ref>。

一部のモデルでは、電子的阻止能を高エネルギーイオンから電子気体へのエネルギー付与ではなく[[運動量]]の付与と見なす。これは高エネルギー領域においてベーテの式の結果と一致する<ref>Banerjee: [http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=1258065&tag=1 Quantum Mechanical electronic stopping power]. Ion Implant Technology conference 2002</ref>。

[[ファイル:Electronic_nuclear_stopping_Al_in_Al.png|サムネイル|アルミニウムに入射したアルミニウムイオンについての電子的・核的阻止能を、イオンの[[核子]]当たりエネルギーに対してプロットしたもの。核的阻止能曲線は核子当たり1 [[電子ボルト|keV]]程度のエネルギーで最大値を取るのが普通である。 ]]
ヘルムート・パウルは数多くのターゲット物質と入射イオンについて電子的阻止能の実験値をグラフ化するデータベースを作成した<ref>{{Cite web|url=https://www-nds.iaea.org/stopping/stopping_about.html|title=Electronic Stopping Power of Matter for Ions
Graphs, Data, Comments and Programs|accessdate=2019-09-21|publisher=[[国際原子力機関]]核データセクション|website=International Atomic Energy Agency Nuclear Data Services}}</ref>。いくつかの数値テーブルでは精度を決定するためにこのデータベースとの統計的比較が用いられている<ref>{{Cite journal|last=Paul|first=H|year=2006|title=A comparison of recent stopping power tables for light and medium-heavy ions with experimental data, and applications to radiotherapy dosimetry|journal=Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B|volume=247|issue=2|pages=166–172|bibcode=2006NIMPB.247..166P|doi=10.1016/j.nimb.2006.01.059}}</ref>。 

'''核的阻止能'''とは入射イオンと試料原子との[[弾性衝突]]の効果を指す。「核的」という呼び方は[[核力]]が関わっているという誤解を招く可能性があるが<ref name="ICRU85">{{Cite journal|last=International Commission on Radiation Units and Measurements|date=October 2011|title=Fundamental Quantities and Units for Ionizing Radiation|url=http://www.engin.umich.edu/class/ners580/ners-bioe_481/lectures/pdfs/2011-04-ICRU_Report85a-QuantitiesUnits(revised).pdf|journal=Journal of the ICRU|volume=11|issue=1|pages=NP.2–NP|edition=Revised|accessdate=14 December 2012|doi=10.1093/jicru/ndr012|pmid=24174259}}</ref>、イオンがターゲット物質の[[原子核]]によって減速されることを意味している。核的阻止能 {{Math|''F''<sub>n</sub>(''E'')}} を計算するには、二原子間斥力の[[原子間ポテンシャル|ポテンシャルエネルギー]] {{Math|''E''(''r'')}} の形が分かっていればよい。右図は[[アルミニウム]]に入射したアルミニウムイオンに対する核的および電子的阻止能を示したもので、エネルギーが低い領域を除けば核的阻止は無視できる。入射イオンの質量が増加すると核的阻止の効果も増加する。右図では低エネルギー領域で核的阻止が電子的阻止を上回っているのが、非常に軽いイオンが重い物質の中で減速する場合にはすべての領域で核的阻止が電子的阻止より弱くなる。

検出器の放射線損傷の分野では、線エネルギー付与 (LET) の対極として「非電離エネルギー損失」(NIEL) という用語が使われる<ref name="Huh02">{{Cite journal|last=Huhtinen|first=Mika|year=2002|title=: Simulation of non-ionising energy loss and defect formation in silicon|journal=Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B|volume=491|issue=1–2|pages=194–215}}</ref><ref name="Bar95">{{Cite journal|last=Barry|first=AL|last2=Houdayer, AJ|last3=Hinrichsen, PF|last4=Letourneau, WG|last5=Vincent, J|year=1995|title=The energy dependence of lifetime damage constants in GaAs LEDs for 1-500&nbsp;MeV protons|journal=IEEE Transactions on Nuclear Science|volume=42|issue=6|pages=2104–2107|bibcode=1995ITNS...42.2104B|doi=10.1109/23.489259}}</ref><ref name="Lin01">{{Cite journal|last=Lindström|first=G|year=2001|title=Radiation hard silicon detectors - developments by the RD48 (ROSE) collaboration|journal=Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A|volume=466|issue=2|pages=308–326|bibcode=2001NIMPA.466..308L|doi=10.1016/S0168-9002(01)00560-5}}</ref>。核的阻止は定義上電子の励起を伴わないため、[[核反応]]が起こらないならばNIELと核的阻止能は同一の量だと考えられる。 

非相対論的な領域での全阻止能は、これら電子的、核的な項の和 {{Math|1=''F''(''E'') = ''F''<sub>e</sub>(''E'') + ''F''<sub>n</sub>(''E'')}} となる。阻止能の半経験的な表式は複数が考案されている。現在もっとも広く用いられているのは、{{仮リンク|SRIM|en|Stopping and Range of Ions in Matter|label=}}コードのいくつかのバージョンで採用されている<ref name="srim">[http://www.SRIM.org SRIM web site]</ref>Ziegler、Biersack、Littmark（ZBL）によるモデル<ref name="Z1985">J. F. Ziegler, J. P. Biersack, and U. Littmark. In The Stopping and Range of Ions in Matter, volume 1, New York, 1985. Pergamon. {{ISBN2|0-08-022053-3}}</ref><ref>J. F. Ziegler, J. P. Biersack, and M. D. Ziegler: SRIM - The Stopping and Range of Ions in Matter, SRIM Co., 2008. {{ISBN2|0-9654207-1-X}}</ref>である。

イオンのエネルギーが非常に高いときには<ref name="ICRU73">ICRU Report 73: Stopping of Ions heavier than Helium, Journal of the ICRU, 5 No. 1 (2005), Oxford Univ. Press {{ISBN2|0-19-857012-0}}</ref>、物質中の電界を通過することで発生する[[制動放射]]による'''放射阻止能'''も考慮しなければならない<ref name="ICRU85">{{Cite journal|last=International Commission on Radiation Units and Measurements|date=October 2011|title=Fundamental Quantities and Units for Ionizing Radiation|url=http://www.engin.umich.edu/class/ners580/ners-bioe_481/lectures/pdfs/2011-04-ICRU_Report85a-QuantitiesUnits(revised).pdf|journal=Journal of the ICRU|volume=11|issue=1|pages=NP.2–NP|edition=Revised|accessdate=14 December 2012|doi=10.1093/jicru/ndr012|pmid=24174259}}</ref>（全阻止能から放射阻止能を引いた部分は'''衝突阻止能'''と呼ばれる）。飛来粒子が電子である場合は常に放射阻止能が重要となる。イオンエネルギーが大きい場合、核反応によるエネルギー損失も起こりうるが、通常そのような過程は阻止能としては考えられない<ref name="ICRU85"/>。 

固体ターゲット物質の表面付近では、核的および電子的な阻止はいずれも[[スパッタリング]]を発生させる可能性がある。

== 固体中の減速プロセス ==
[[ファイル:Ion_slowing.png|サムネイル|単一のイオンが固体物質中で減速される過程を表した図。]]
減速プロセスの開始時にはまだエネルギーが高く、イオンは主に電子的に減速されながらほぼ直線的に進む。イオンが十分に減速すると、原子核との衝突（核的阻止）が起こりやすくなっていって最終的に減速過程を支配する。イオンと衝突して大きな反跳エネルギーを受けた固体原子はその[[結晶構造|格子]]位置から弾き出され、物質中でさらなる{{仮リンク|衝突カスケード|en|Collision cascade|label=}}を生み出す。金属や半導体に[[イオン注入]]を行うときに発生する損傷の主要因は衝突カスケードである。系内に弾き出された原子すべてのエネルギーが{{仮リンク|はじき出しエネルギー|en|Threshold displacement energy|label=弾き出しのしきい値}}を下回るとそれ以上損傷が発生しなくなり、核的阻止の概念は意味を失う。核的衝突によって物質中の原子に蓄積されるエネルギーの総量は nuclear deposited energy と呼ばれる。

右図のインセットは固体に入射したイオンの飛程の典型的な分布を示している。たとえば、1 MeVのシリコンイオンが[[シリコン]]固体中で減速されるとこのような分布になる。一般に1 MeVのイオンの平均飛程は[[マイクロメータ|μm]]の範囲になる。

=== 斥力的[[原子間ポテンシャル]] ===
原子核どうしの距離が非常に縮まったとき発生する斥力は実質的に[[クーロン相互作用]]と見なせる。それより距離が遠くなると原子核は[[電子雲]]によって互いに[[遮蔽]]される。したがって、原子核の間にはたらくクーロン斥力に遮蔽関数 {{Math|''φ''(''r''/''a'')}} を掛けることで斥力ポテンシャルを表すことができる。

: <math> V(r) = { 1 \over 4 \pi \varepsilon_0} {Z_1Z_2 e^2 \over r} \varphi(r/a)</math>

ここで {{Math|''Z''<sub>1</sub>}} および {{Math|''Z''<sub>2</sub>}} は相互作用を受けている二原子核それぞれの電荷、{{Mvar|r}} は原子核間距離である。{{Mvar|a}} は遮蔽パラメータと呼ばれる。原子間距離が短い極限 {{Math|''r'' → 0}} において遮蔽関数は {{Math|''φ''(''r''/''a'') → 1}} となる。

長年にわたって、半経験的なものと理論計算によるものを含めて多数の斥力ポテンシャルと遮蔽関数が提案されてきた。そのうちZiegler、Biersack、Littmarkが与えたいわゆるZBLポテンシャルは広く使われている。さまざまな原子の組み合わせに対して計算された理論ポテンシャルにユニバーサル遮蔽関数をフィッティングすることで構築されたものである<ref name="Z1985">J. F. Ziegler, J. P. Biersack, and U. Littmark. In The Stopping and Range of Ions in Matter, volume 1, New York, 1985. Pergamon. {{ISBN2|0-08-022053-3}}</ref>。ZBLの遮蔽パラメータと遮蔽関数は以下のように書かれる。

: <math> a = a_u = { 0.8854a_0 \over Z_1^{0.23} + Z_2^{0.23} }</math> 
: <math>\varphi(x) = 0.1818e^{-3.2x} +0.5099e^{-0.9423x} +0.2802e^{-0.4028x}  +0.02817e^{-0.2016x} </math>

ここで {{Math|1=''x'' = ''r''/''a''<sub>u</sub>}} であり、{{Math|''a''<sub>0</sub>}} は[[ボーア半径]]0.529 Åにあたる。 

ユニバーサルZBLポテンシャルの理論計算に対するフィットの標準偏差は2 eV以上の範囲で18％である<ref name="Z1985">J. F. Ziegler, J. P. Biersack, and U. Littmark. In The Stopping and Range of Ions in Matter, volume 1, New York, 1985. Pergamon. {{ISBN2|0-08-022053-3}}</ref>。電子の[[交換相関エネルギー]]についての[[密度汎関数理論]]と[[局所密度近似]]を用いた[[自己無撞着]]な全エネルギー計算によって、それより正確な斥力ポテンシャルも求められている<ref>{{Cite journal|last=Nordlund|first=K|last2=Runeberg|first2=N|last3=Sundholm|first3=D|year=1997|title=Repulsive interatomic potentials calculated using Hartree-Fock and density-functional theory methods|journal=Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B|volume=132|issue=1|pages=45|bibcode=1997NIMPB.132...45N|doi=10.1016/S0168-583X(97)00447-3}}</ref>。

=== チャネリング ===
結晶性材料では入射イオンが「{{仮リンク|チャネリング (物理学)|en|Channelling (physics)|label=チャネリング}}」を起こす例が見られる。すなわち、核との衝突がほとんど起こらない[[結晶面]]間の隙間（チャネル）をイオンが集中的に通過することがある。チャネルの中では電子的阻止能も弱い場合がある。このように核的・電子的阻止能は物質の種類や密度だけでなく微視的構造や断面積にも依存する。

=== イオン減速のコンピュータ・シミュレーション ===
コンピュータ・シミュレーションによって媒質中のイオンの運動を計算する手法は1960年代から研究されており、現在では阻止能を扱う中心的な方法となった。その基本的なアイディアは、媒質中の原子核との衝突をシミュレーションすることでイオンの運動を再現することにある。電子的阻止能はイオンを減速させる[[摩擦力]]として取り入れられるのが普通である。 

イオン飛程を計算する従来の手法は{{仮リンク|二体衝突近似|en|Binary collision approximation|label=}}(BCA) に基礎を置いている<ref name="Rob74">{{Cite journal|last=Robinson|first=Mark|last2=Torrens|first2=Ian|year=1974|title=Computer simulation of atomic-displacement cascades in solids in the binary-collision approximation|journal=Physical Review B|volume=9|issue=12|pages=5008|bibcode=1974PhRvB...9.5008R|doi=10.1103/PhysRevB.9.5008}}</ref>。BCA近似のもとでは、試料に注入されたイオンの運動は、反跳イオンと試料原子の間で起きる独立した衝突の連なりとして扱われ、それぞれの衝突ごとに古典的な散乱積分が[[数値積分|数値的に]]解かれる。

散乱積分の衝撃パラメータ {{Mvar|p}} は確率的な分布によって、もしくは試料の結晶構造を考慮に入れて決定される。前者の方法ではチャネリングが考慮されないため、[[アモルファス]]材料への注入をシミュレーションする場合にのみ適している。 

最もよく知られたBCAシミュレーション・プログラムは [[SRIM|TRIM / SRIM]] である。TRIMは TRansport of Ions in Matter（物質中のイオン移動）の[[頭字語|アクロニム]]であり、より近年のバージョンは SRIM すなわち Stopping and Range of Ions of Matter（物質中のイオン阻止および飛程）と呼ばれる。このプログラムはZBLの電子的阻止と[[原子間ポテンシャル]]に基づいている<ref name="Z1985">J. F. Ziegler, J. P. Biersack, and U. Littmark. In The Stopping and Range of Ions in Matter, volume 1, New York, 1985. Pergamon. {{ISBN2|0-08-022053-3}}</ref><ref name="srim">[http://www.SRIM.org SRIM web site]</ref><ref>{{Cite journal|last=Biersack|first=J|last2=Haggmark|first2=L|year=1980|title=A Monte Carlo computer program for the transport of energetic ions in amorphous targets☆|journal=Nuclear Instruments and Methods|volume=174|issue=1|pages=257|bibcode=1980NucIM.174..257B|doi=10.1016/0029-554X(80)90440-1}}</ref>。非常に簡便なユーザーインターフェイスを持つほか、1 GeVまでのエネルギー範囲であらゆる材料とあらゆるイオンについてのデフォルトパラメータを備えていたことから大きな人気を集めた。しかし、結晶構造が考慮されていない点は多くのケースで有用性を大幅に損ねている。この難点を克服したBCAプログラムもいくつかあり、そのうちMARLOWE<ref name="Rob92">{{Cite journal|last=Robinson|first=M|year=1992|title=Computer simulation studies of high-energy collision cascades1|url=https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc1090151/|journal=Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B|volume=67|issue=1–4|pages=396–400|format=Submitted manuscript|bibcode=1992NIMPB..67..396R|doi=10.1016/0168-583X(92)95839-J}}</ref>、BCCRYS、crystal-TRIMはよく知られている。 

BCA方式は多くの物理プロセスを正しく表せるが、高エネルギーイオンの減速プロセスを現実的に表すにはいくつか克服すべき点がある。衝突が二体間でのみ起こるという基本的な前提条件は、多体相互作用を考慮しようとすると深刻な問題を引き起こす。また結晶材料のシミュレーションでは、次に衝突する格子原子と衝撃パラメーター {{Mvar|p}} を選択する過程で、完全に[[well-defined]]な値を持つとは限らないパラメーターが必ず用いられる。このことは結果に10–20%程度影響する。BCA方式で信頼性を最大に高めるには多体間衝突を取り入れる必要があるが、正しく行うのは容易ではない。ただし少なくともMARLOWEはこれを行っている。 

[[運動方程式]]を数値的に解くことで原子系の時間発展を計算する[[分子動力学法|分子動力学]] (MD) シミュレーションは、多原子衝突をモデル化する原理的に明快な方法の一つである。イオン飛程の計算に特化したMD法として、シミュレーションに関与する相互作用と原子の数を減らすことで飛程計算に十分なほど効率を向上させる手法がいくつか考案されている<ref name="Nor95">{{Cite journal|last=Nordlund|first=K|year=1995|title=Molecular dynamics simulation of ion ranges in the 1–100&nbsp;keV energy range|url=http://beam.acclab.helsinki.fi/~knordlun/mdh/mdh_captions.ps|journal=Computational Materials Science|volume=3|issue=4|pages=448–456|doi=10.1016/0927-0256(94)00085-Q}}</ref><ref name="Bea98">{{Cite journal|last=Beardmore|first=Keith|last2=Grønbech-Jensen|first2=Niels|year=1998|title=Efficient molecular dynamics scheme for the calculation of dopant profiles due to ion implantation|journal=Physical Review E|volume=57|issue=6|pages=7278–7287|arxiv=physics/9901054|bibcode=1998PhRvE..57.7278B|doi=10.1103/PhysRevE.57.7278}}</ref>。それらのMDシミュレーションでは核的阻止能の扱いは自明であり、電子的阻止能は摩擦力として取り入れられることもあれば<ref>{{Cite journal|last=Hobler|first=G.|date=2001|title=On the useful range of application of molecular dynamics simulations in the recoil interaction approximation|journal=Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B|volume=180|issue=1–4|page=203|bibcode=2001NIMPB.180..203H|doi=10.1016/s0168-583x(01)00418-9}}</ref><ref>{{Cite journal|last=Caturla|first=M.|date=1996|title=Ion-beam processing of silicon at keV energies: A molecular-dynamics study|journal=Physical Review B|volume=54|issue=23|page=16683|bibcode=1996PhRvB..5416683C|doi=10.1103/PhysRevB.54.16683}}</ref><ref>{{Cite journal|last=Smith|first=R.|date=1997|title=Molecular Dynamics Simulation of 0.1 -- 2 keV ion bombardment of Ni {100}|journal=Radiation Effects and Defects in Solids|volume=141|page=425|doi=10.1080/10420159708211586}}</ref><ref>{{Cite journal|last=Duvenbeck|first=A.|date=2007|title=Electron promotion and electronic friction in atomic collision cascades|journal=New Journal of Physics|volume=9|issue=2|page=38|bibcode=2007NJPh....9...38D|doi=10.1088/1367-2630/9/2/038}}</ref><ref>{{Cite journal|last=Hou|first=M.|date=2000|title=Deposition of AuN clusters on Au(111) surfaces. I. Atomic-scale modeling|journal=Physical Review B|volume=62|issue=4|page=2825|bibcode=2000PhRvB..62.2825H|doi=10.1103/PhysRevB.62.2825}}</ref><ref>{{Cite journal|last=Bjorkas|first=C.|date=2009|title=Assessment of the relation between ion beam mixing, electron-phonon coupling, and damage production in Fe|journal=Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B|volume=267|issue=10|page=1830|bibcode=2009NIMPB.267.1830B|doi=10.1016/j.nimb.2009.03.080}}</ref>、電子系への加熱や電子と原子の自由度の結合といった効果を再現する高度な方法が用いられることもある<ref>{{Cite journal|last=Pronnecke|first=S.|date=1991|title=The effect of electronic energy loss on the dynamics of thermal spikes in Cu|journal=Journal of Materials Research|volume=6|issue=3|page=483|bibcode=1991JMatR...6..483P|doi=10.1557/jmr.1991.0483}}</ref><ref>{{Cite journal|last=Duffy|first=D. M.|date=2007|title=Including the effects of electronic stopping and electron-ion interactions in radiation damage simulations|journal=Journal of Physics: Condensed Matter|volume=17|page=016207}}</ref><ref>{{Cite journal|last=Tamm|first=A.|date=2016|title=Electron-phonon interaction within classical molecular dynamics|journal=Physical Review B|volume=94|issue=1|page=024305|bibcode=2016PhRvB..94a4305L|doi=10.1103/PhysRevB.94.014305}}</ref>。 

== 最小電離粒子 ==
粒子速度 {{Mvar|v}} を増加させると、阻止能は最大値に達した後におよそ {{Math|1/''v''<sup>2</sup>}} に従って減少していくが、最小値を経て再び増加する<ref>http://pdg.lbl.gov/2005/reviews/passagerpp.pdf</ref>。物質を通過する際の平均エネルギー損失速度が最小に近い粒子を最小電離粒子と呼ぶ。相対論的粒子（宇宙線[[ミュー粒子|ミューオン]]など）は現実的なケースの多くで最小電離粒子である。 

== 脚注 ==
{{Reflist|30em}}

== 関連文献 ==
* (Lindhard 1963) J. Lindhard, M. Scharff, and H. E. Shiøtt. Range concepts and heavy ion ranges. Mat. Fys. Medd. Dan. Vid. Selsk., 33(14):1, 1963.
* (Smith 1997) R. Smith (ed.), Atomic & ion collisions in solids and at surfaces: theory, simulation and applications, Cambridge University Press, Cambridge, UK, 1997.

== 関連項目 ==
* {{仮リンク|放射長|en|Radiation length|label=}} 
* {{仮リンク|減衰長|en|Attenuation length|label=}} 
* {{仮リンク|放射線材料科学|en|Radiation material science|label=}} 
* {{仮リンク|International Conference on Radiation Effects in Insulators|en|International Conference on Radiation Effects in Insulators|label=}} 

== 外部リンク ==
* [http://bohr.inf.um.es/MELF-GOS.html Stopping power and energy loss straggling calculations in solids by MELF-GOS model]
* [http://www.nucleonica.com/wiki/index.php?title=Help:Range_%26_Stopping_Power%2b%2b A Web-based module for Range and Stopping Power in Nucleonica]
* [http://pdg.lbl.gov/2006/reviews/passagerpp.pdf Passage of charged particles through matter]
* [https://www.nist.gov/pml/data/star/index.cfm Stopping-Power and Range Tables for Electrons, Protons, and Helium Ions]
* [https://web.archive.org/web/20120206072234/http://www.exphys.uni-linz.ac.at/Stopping/ Stopping Power: Graphs and Data]
* [http://phys.au.dk/en/publications/lecture-notes/ Penetration of charged particles through matter; lecture notes by E. Bonderup]
* [https://atomica.jaea.go.jp/dic/detail/dic_detail_500.html 「阻止能」原子力百科事典 ATOMICA]

{{Normdaten}}
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[[Category:原子核物理学]]
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