電界効果テトロードのソースを表示

'''電界効果テトロード'''<ref>[https://www.jedec.org/standards-documents/dictionary/terms/tetrode-field-effect-transistor Tetrode field-effect transistor], JEDEC definition</ref>（でんかいこうかテトロード、Field-effect tetrode）は、2つの[[電界効果トランジスタ|電界効果]]チャネルを背中合わせに作り、その間を接合した[[半導体素子]]である。

各チャンネルが他のチャンネルのゲートとなるため、特定のゲート端子を持たない4端子デバイスであり<ref name="M">{{Cite book|title=Integrated Circuits: Design Principles and Fabrication|editor=Raymond M. Warner Jr.|pages=220–223|date=1965|publisher=McGraw Hill}}</ref>、電圧条件によって他のチャンネルが流す電流が変調される<ref>{{Cite book|title=Academic Press Dictionary of Science and Technology|url=https://archive.org/details/academicpressdic00morr|editor=Christopher G. Morris|publisher=Academic Press|isbn=9780122004001|page=[https://archive.org/details/academicpressdic00morr/page/824 824]|date=15 September 1992}}</ref>。

== 電流-電圧関係 ==
ここで、第1チャンネルの電圧を <math>V_{1} - V_{2}</math>、第2チャンネルの電圧を<math>V_{3} - V_{4}</math>、第1チャンネルの電流を <math>I_{1}</math>、第2チャンネルの電流を<math>I_{2}</math>とすると、次式が与えられる。

<math>I_{1} = G_{1}(V_{1} - V_{2})
\left[1-
\frac{2}{3V_p^{1/2}}
\frac{(V_{1} - V_{3})^{(3/2)} - (V_{2} - V_{4})^{(3/2)}}{(V_{1} - V_{3}) - (V_{2} - V_{4})}
\right]</math>

<math>I_{2} = G_{2}(V_{3} - V_{4})
\left[1-
\frac{2}{3V_p^{1/2}}
\frac{(V_{3} - V_{1})^{(3/2)} - (V_{4} - V_{2})^{(3/2)}}{(V_{3} - V_{1}) - (V_{4} - V_{2})}
\right]</math>,


ここで、<math>G_{i}</math> はチャネルの低電圧コンダクタンス、 <math>V_p</math> はピンチオフ電圧（各チャネルで同じと仮定）である。

== 応用 ==
電界効果テトロードは、信号電圧によって抵抗値が変調されない、高直線性特性の電子可変抵抗器（[[ポテンショメータ]]）として使用することができる。

信号電圧は[[バイアス (電子工学)|バイアス電圧]]、ピンチオフ電圧、[[Breakdown voltage#Diodes and other semiconductors|接合部耐圧]]を超えることがあり、その限界は散逸に依存する。信号電流はチャネル抵抗に反比例して流れる。信号は空乏層を変調しないので、電界効果四極トランジスタは高い周波数で機能する。同調比は非常に大きくすることができ、対称的なピンチオフ条件では、高抵抗の限界はメガオームの域に達する<ref name="M2">{{cite book|title=Integrated Circuits: Design Principles and Fabrication|editor1=Raymond M. Warner Jr.|editor2=James N. Fordemwalt|pages=220–223|date=1965|publisher=McGraw Hill}}</ref>。

== 脚注 ==
{{Reflist}}

== 参照 ==
* [[電界効果トランジスタ]]（Field-effect transistor）
* [[マルチゲート素子]]（Multigate device）, other multi-gate devices
* Tetrode transistor, any transistor having four active terminals

{{Electronic components|state=collapsed}}{{Authority control}}
[[Category:半導体素子]]
{{DEFAULTSORT:でんかいこうか}}