電界効果テトロード

電界効果テトロード（でんかいこうかテトロード、Field-effect tetrode）は、2つの電界効果チャネルを背中合わせに作り、その間を接合した半導体素子である。

各チャンネルが他のチャンネルのゲートとなるため、特定のゲート端子を持たない4端子デバイスであり、電圧条件によって他のチャンネルが流す電流が変調される。

電流-電圧関係

ここで、第1チャンネルの電圧を $V_1-V_2$、第2チャンネルの電圧を$V_3-V_4$、第1チャンネルの電流を $I_1$、第2チャンネルの電流を$I_2$とすると、次式が与えられる。

$I_1=G_1(V_1-V_2)[1-\frac{2}{3V_p^{1/2}}\frac{(V_1-V_3{)}^{(3/2)}-(V_2-V_4{)}^{(3/2)}}{(V_1-V_3)-(V_2-V_4)}]$

$I_2=G_2(V_3-V_4)[1-\frac{2}{3V_p^{1/2}}\frac{(V_3-V_1{)}^{(3/2)}-(V_4-V_2{)}^{(3/2)}}{(V_3-V_1)-(V_4-V_2)}]$,

ここで、$G_i$ はチャネルの低電圧コンダクタンス、 $V_p$ はピンチオフ電圧（各チャネルで同じと仮定）である。

応用

電界効果テトロードは、信号電圧によって抵抗値が変調されない、高直線性特性の電子可変抵抗器（ポテンショメータ）として使用することができる。

信号電圧はバイアス電圧、ピンチオフ電圧、接合部耐圧を超えることがあり、その限界は散逸に依存する。信号電流はチャネル抵抗に反比例して流れる。信号は空乏層を変調しないので、電界効果四極トランジスタは高い周波数で機能する。同調比は非常に大きくすることができ、対称的なピンチオフ条件では、高抵抗の限界はメガオームの域に達する。

参照

• 電界効果トランジスタ（Field-effect transistor）
• マルチゲート素子（Multigate device）, other multi-gate devices
• Tetrode transistor, any transistor having four active terminals