ファイル:Anisotropic wet etching.svg
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この SVG ファイルのこの PNG プレビューのサイズ: 300 × 175 ピクセル. その他の解像度: 320 × 187 ピクセル | 640 × 373 ピクセル | 1,024 × 597 ピクセル | 1,280 × 747 ピクセル | 2,560 × 1,493 ピクセル。
元のファイル (SVG ファイル、300 × 175 ピクセル、ファイルサイズ: 18キロバイト)
| 解説 |
English: A diagram showing anisotropic wet etching in silicon, showing the undercut under the resist. The etch rate in the <111> direction is much slower (about 100× slower) than in the <100> direction. |
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| 日付 | |||
| 原典 | 投稿者自身による著作物 | ||
| 作者 | Inductiveload | ||
| 許可 (ファイルの再利用) |
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ファイルの履歴
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| 日時 | サムネイル | 寸法 | 利用者 | コメント | |
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| 現在の版 | 2010年5月14日 (金) 22:27 | | 300 × 175 (18キロバイト) | wikimediacommons>Inductiveload | {{Information |Description={{en|A diagram showing anisotropic wet etching in silicon, showing the undercut under the resist. The etch rate in the <111> direction is much slower (about 100× slower) than in the <100> direction.}} |Source={{own}} |Date=2010 |
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