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…テトロード、Field-effect tetrode）は、2つの[[電界効果トランジスタ|電界効果]]チャネルを背中合わせに作り、その間を接合した[[半導体素子]]である。 [[Category:半導体素子]] …

[[Category:半導体素子]] …

誘電体は電子機器の絶縁材料､[[コンデンサ]]の電極間挿入材料､[[半導体素子]]のゲート絶縁膜などに用いられている。また、高い誘電率を有することは光学材料として極めて重要であり、[[光ファイバー]]、[[レンズ]]の光学コーティ [[半導体素子]]の微細化、低消費電力化のために、[[トランジスタ]]のゲート絶縁膜を薄膜化し、静電容量を大きくすることで高性能化を計ってきたが、[[量子力学]]的な …

[[Category:半導体素子]] …

2種類の[[金属]]の接合部に[[電流]]を流すと、片方の金属からもう片方へ[[熱]]が移動するという[[ペルティエ効果]]を利用した板状の[[半導体素子]]。直流電流を流すと、一方の面が吸熱し、反対面に発熱が起こる。電流の極性を逆転させるとその関係が反転する。 [[Category:半導体素子]] …

{{混同|[[半導体製造]]に用いられる原料ガスとしての『電子ガス』|[[半導体素子]]に存在する状態としての『[[二次元電子ガス]]』}} …

[[バンド構造|E-k空間]]上において電子はこの状態を取ることができない。バンドギャップの存在に起因する半導体の物性は[[半導体素子]]において積極的に利用されている。 …]]と[[伝導帯]]の間を[[遷移]]するには、バンドギャップ幅以上の大きさのエネルギー（[[光]]や[[熱]]）を吸収または放出する必要がある。[[半導体素子]]においてはこのようなバンドギャップ周辺での電子の遷移を制御することによって、様々な機能を実現している。 …

…}）とは、[[電流]]の流れているものに対し、電流に垂直に[[磁場]]をかけると、電流と磁場の両方に直交する方向に[[起電力]]が現れる現象。主に[[半導体素子]]で応用される。1879年、米国の物理学者[[エドウィン・ホール]]（{{lang-en-short|Edwin Herbert Hall}}, 18 …

…'（{{lang-en-short|transistor}}）とは、[[電子回路]]において、信号を[[増幅]]またはスイッチングすることができる[[半導体素子]]である。 …

**[[半導体素子]]内部の[[バンド構造]]の表現に用いられる。 …

=== 半導体素子 === [[四塩化ケイ素]]や[[トリクロロシラン]]から作られる[[高純度ケイ素]]の塊（[[シリコンウェハー]]）は、[[半導体素子]]に用いられる。また、[[液晶ディスプレイ]]の[[薄膜トランジスタ|TFT]]や[[ソーラーパネル]]には、[[アモルファスシリコン]]や多結晶シリ …

微細かつ平面的なものを大量に製造する技術が確立されており、[[集積回路]]に搭載されている[[半導体素子]]としては最も一般的である。一般的な[[スマートフォン]]や[[パーソナルコンピュータ]]に搭載されている[[CPU]]には、1億個以上のFETが組み …