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- …M'''、エムラム）は、[[トンネル磁気抵抗効果|磁気トンネル接合]]（Magnetic tunnel junction、MTJ）を構成要素とする[[不揮発性メモリ]]である。[[Static Random Access Memory|SRAM]]や[[Dynamic Random Access Memory|DR …様に、'''MRAM'''は記憶に[[強磁性|強磁性体]]中の[[電子]]の[[スピン角運動量|スピン]]に由来する[[磁化]]状態を利用するため[[不揮発性メモリ|不揮発]]で、[[電源]]を遮断しても[[データ]]が保存される。しかし、外部からの[[示量性と示強性|強]][[磁場]]に弱い。これはMTJ[[素子 …14キロバイト (552 語) - 2025年1月19日 (日) 20:09
- 10キロバイト (420 語) - 2025年1月11日 (土) 05:03
- 強誘電体の特徴として、分極が外部電場に対する[[ヒステリシス]]特性を有することが挙げられる。この特性は[[半導体メモリ|不揮発性メモリ]]の1種である[[FeRAM]]に応用されている。 …7キロバイト (111 語) - 2025年1月15日 (水) 04:04
- …apples-new-apfs-file-system/|archivedate=2024-08-24}}</ref>。また、バイトアドレス可能な[[不揮発性メモリ]] の利点を活用できない<ref>{{cite news|date=2016-06-24|first=Robin|last=Harris|url=ht …17キロバイト (1,210 語) - 2025年2月28日 (金) 13:06
- …に動かすことができ、[[ジュール熱]]をほとんど出さずに制御できる可能性が示されたため、低[[消費電力]]と[[集積回路|高密度実装]]を実現する[[不揮発性メモリ]]としての応用が期待されている<ref>{{Cite press release|和書| url = http://www.riken.jp/pr/p …17キロバイト (1,414 語) - 2023年10月18日 (水) 08:48
- …ccess Memory|DRAM]]に似たアクセス時間とともにハードドライブよりも大きいデータ密度を可能にし、両方のコンポーネントを置き換える)[[不揮発性メモリ|不揮発性ソリッド-ステート・メモリ]]に仕立て上げられ得る<ref name="Kanellos" />。HPは平方センチメートルあたり100[[ギガ …138キロバイト (9,207 語) - 2025年2月11日 (火) 17:28