ハイブリッドπモデル

ハイブリッドπモデルは、バイポーラトランジスタおよび電界効果トランジスタの小信号解析に使用される一般的な回路モデルである。 1969年にLJ Giacolettoによって導入されたため、 Giacolettoモデルとも呼ばれる 。 このモデルは、低周波回路の動作を非常に正確に表すことができる。また、適切な電極間容量や他の寄生要素を追加することで、高周波回路にも容易に適応できる。

バイポーラトランジスタのモデル

バイポーラトランジスタのハイブリッドπモデルは、小信号ベース-エミッタ間電圧$v_{\text{be}}$と小信号コレクタ-エミッタ間電圧$v_{\text{ce}}$を独立変数、小信号ベース電流$i_{\text{b}}$と小信号コレクタ電流$i_{\text{c}}$を従属変数としてバイポーラトランジスタを線形近似した二端子対回路である。

バイポーラトランジスタのモデルパラメータ

バイポーラトランジスタの基本的な簡易ハイブリッドπモデルを図1に示す。 各パラメータは以下の通りである。

図1：低周波におけるバイポーラトランジスタの簡易ハイブリッドπモデル

相互コンダクタンス

$g_{\text{m}}={\frac{i_{\text{c}}}{v_{\text{be}}}|}_{v_{\text{ce}}=0}=\frac{I_{\text{C}}}{V_{\text{T}}}$

ただし、

• $I_{\text{C}}$：直流コレクタ電流
• $V_{\text{T}}=\frac{kT}{e}$：熱電圧であり常温（295K)では、おおよそ25mV（ただし、$k$：ボルツマン定数、$e$：電気素量、$T$：トランジスタの絶対温度）

入力抵抗

$r_{\pi }={\frac{v_{\text{be}}}{i_{\text{b}}}|}_{v_{\text{ce}}=0}=\frac{V_{\text{T}}}{I_{\text{B}}}=\frac{{\beta }_0}{g_{\text{m}}}$

ただし、

• $I_{\text{B}}$：直流ベース電流
• ${\beta }_0=\frac{I_{\text{C}}}{I_{\text{B}}}$：エミッタ接地時の直流電流増幅率（一般に、 hパラメータモデルにおいてh _FEとして表される。各トランジスタに固有のパラメータであり、一般的にデータシートに記載されている。）

出力抵抗

$r_{\text{o}}={\frac{v_{\text{ce}}}{i_{\text{c}}}|}_{v_{\text{be}}=0}=\frac{1}{I_{\text{C}}}(V_{\text{A}}+V_{\text{CE}})\approx \frac{V_{\text{A}}}{I_{\text{C}}}$

ただし、

• $V_{\text{A}}$：アーリー電圧
• $V_{\text{ce}}$：コレクタ-エミッタ間直流電圧

その他のパラメータ

出力コンダクタンス

出力コンダクタンス g テンプレート:Subは、出力抵抗r テンプレート:Subの逆数である。

$g_{\text{ce}}=\frac{1}{r_{\text{o}}}$

トランスレジスタンス

トランスレジスタンスr テンプレート:Subは、相互コンダクタンスの逆数である。

$r_{\text{m}}=\frac{1}{g_{\text{m}}}$

高周波モデル

高周波におけるハイブリッドπモデル

高周波モデルは仮想端子B 'の導入により、ベース拡がり抵抗r _bb （ベース電極とエミッタ下のベースの活性領域との間のバルク抵抗）およびr _{b' e} （ベース領域での少数キャリアの再結合を補うために必要なベース電流を表すための抵抗）を別々に表現することができる。 Ｃ _eはベース内の少数キャリア蓄積を表す拡散容量である。

MOSFETのモデル

MOSFETのモデルパラメータ

MOSFETの基本的な簡易ハイブリッドπモデルを図2に示す。 各パラメータは以下の通りである。

図2：低周波におけるMOSFETの簡易ハイブリッドπモデル

相互コンダクタンス

$g_{\text{m}}={\frac{i_{\text{d}}}{v_{\text{gs}}}|}_{v_{\text{ds}}=0}$

相互コンダクタンス$g_{\text{m}}$は次のようにShichman-Hodgesモデルを用いて計算される。

$g_{\text{m}}=\frac{2I_{\text{D}}}{V_{\text{GS}}-V_{\text{th}}}$

ただし、

• $I_{\text{D}}$：直流ドレイン電流
• $V_{\text{th}}$：しきい値電圧
• $V_{\text{GS}}$：ゲート-ソース間直流電圧

これらを組み合わせた以下のパラメータが用いられることもある。

$V_{\text{ov}}=V_{\text{GS}}-V_{\text{th}}$

このパラメータはオーバードライブ電圧と呼ばれる。

出力抵抗

$r_{\text{o}}={\frac{v_{\text{ds}}}{i_{\text{d}}}|}_{v_{\text{gs}}=0}$

出力抵抗$r_{\text{o}}$はチャネル長変調に依存するものであり、次のようにShichman-Hodgesモデルを用いて計算される 。

$\begin{array}{cc}{r}_{\text{o}}& =\frac{1}{I_{\text{D}}}(\frac{1}{\lambda }+V_{\text{DS}})\\ & =\frac{1}{I_{\text{D}}}(V_{E}L+V_{\text{DS}})\approx \frac{V_{E}L}{I_{\text{D}}}\end{array}$

ここでは、以下に示すチャネル長変調係数λの近似を用いている。

$\lambda =\frac{1}{V_{E}L}$

ここで、 V _Eはフィッティング係数（ 65 nmプロセスの場合は約4 V /μm）であり、 Lはチャネル長を表す。

関連項目

• MOSFET
• バイポーラトランジスタ