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* [[スピントロニクス]] [[Category:スピントロニクス]] …

*[[スピントロニクス]] …ve.org/web/20100122211616/http://www.fed.or.jp/project/mram/index.htm MRAM・スピントロニクス] …

…ハリネズミ状スキルミオンがあるが、どちらもジャロシンスキー・守谷相互作用により安定化されている。スキルミオンはそのトポロジカルな性質から、次世代の[[スピントロニクス]]デバイスへの応用が期待されている。 [[Category:スピントロニクス]] …

* [[スピントロニクス]] - 電子デバイスは電場を用いて電子の位置を制御できることを基礎としている。同様にして、スピン自由度の制御を基礎としたデバイスもあり得る。ラシュバ効 [[Category:スピントロニクス]] …

[[Category:スピントロニクス]] …

…r_xO₃)は、高温で[[強磁性]]を示し、単一の結晶相を持ち、高密度のキャリアを持つ磁性半導体である。[[スピントロニクス]]におけるスピン注入素子としての応用が期待されている<ref>{{cite web |title = MIT Material Puts New Sp …

…09/TNNLS.2016.2547842|issn=2162-237X|pmid=27164608|s2cid=1798273}}</ref>、[[スピントロニクス]]メモリ、しきい値スイッチ、および[[トランジスタ]]などによって実現できる<ref>{{Cite journal|last1=Zhou|first1 2012年6月、[[パデュー大学]]の[[スピントロニクス]]研究者は、{{仮リンク|横型スピンバルブ|en|Spin valve}}と[[メモリスタ]]を使用したニューロ・モルフィック・チップの設計に関する論 …

[[固体物理学]]、特に発展著しい[[スピントロニクス]]技術の分野で、[[磁気スキルミオン]]と呼ばれる[[位相幾何学]]的に[[自明性 (数学)|非自明]]な[[スピン角運動量|スピン]]配置が注目され …

グラフェンは、[[スピン軌道相互作用]]が小さく、また炭素の[[核磁気モーメント]]が無視できることから、[[スピントロニクス]]の理想的な材料と考えられている。室温での電気的な[[スピン流]]の導入・検波が最近示された。室温で1マイクロメートル以上の[[コヒーレンス長|スピン …

局所密度近似はGGAと同様に[[固体物理学|固体物理学者]]によって半導体酸化物や[[スピントロニクス]]を含む半導体素材中の電子および磁気相互作用を解釈するためのDFT研究において広範に利用されている。これらの計算研究の重要性は、第一原理に基づく解析を …

20世紀後半になると、銅酸化物系[[高温超伝導]]体と磁気秩序の関連、磁性の工業的利用、[[スピントロニクス]]の発展等から、物質中の電子の持つスピンの性質に対するより深い理解への欲求が強まり、物質中の磁気秩序の解明が進んだ。 …

* [[スピントロニクス]] …

==== スピントロニクス・メモリスタ ==== }}</ref>。初の磁気トンネル接合におけるスピン流による領域壁運動に基づく[[スピントロニクス]]・メモリスタの実験的証明が2011年に載った<ref name="Chanthbouala2011">{{cite journal |last1=C …

* [[スピントロニクス]] - 固体素子における基本的な電子電荷に加え、固有スピンとそれに関連する磁気モーメントを研究する学問分野 [[Category:スピントロニクス]] …