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- [[半導体]]における質量作法の法則の式は、 [[Category:半導体]] …3キロバイト (218 語) - 2020年1月10日 (金) 01:47
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- '''アンダーソンの法則'''(''Anderson's rule'')は、2つの[[半導体]]材料を[[ヘテロ接合 (半導体)|ヘテロ構造]]にした場合にそれぞれの[[バンド構造]]がどのように接続されるか計算するための[[モデル (自然科学)|モデル]]。1960年にR.L *[[ヘテロ接合 (半導体)|ヘテロ接合]] …2キロバイト (101 語) - 2022年9月22日 (木) 21:54
- [[半導体]]において'''有効状態密度'''とは、[[伝導帯]]の[[電子]]密度や[[価電子帯]]の[[正孔]]密度を表すときに用いられる[[状態密度]]であ [[Category:半導体]] …3キロバイト (288 語) - 2023年1月27日 (金) 15:14
- …）とは、純粋な[[真性半導体]]に不純物（[[ドーパント]]）を微量添加（[[ドープ|ドーピング]]）した半導体のこと。ドーピングする元素により、[[半導体#半導体の型|キャリア]]が[[正孔|ホール]]（正孔）の[[P型半導体]]と、キャリアが[[電子]]の[[N型半導体]]に分類される。 {{半導体}} …4キロバイト (209 語) - 2021年8月8日 (日) 05:51
- 単に'''移動度'''という場合は、[[電荷担体|キャリア]]の移動のしやすさを示す。[[半導体]]の場合、キャリアとは、電子および[[正孔]]のことである。 [[Category:半導体]] …2キロバイト (108 語) - 2024年7月26日 (金) 16:34
- …統計'''(''Shockley-Read-Hall process''もしくは''Shockley-Hall-Read process'')は、[[半導体]]中の[[ドーパント#深い準位|深い準位]]による[[電荷担体|キャリア]]の[[生成再結合]](捕獲及び放出)の[[時定数]]に関してあらわした[[ [[Category:半導体|SRHとうけい]] …2キロバイト (115 語) - 2015年3月3日 (火) 05:18
- '''pMOS(PMOS) トランジスタ'''は、[[金属]] - [[半導体]]酸化膜 - [[半導体]]の三層構造(MOS：Metal Oxide Semiconductor)になっている半導体素子のうち、[[正孔]]（ホール）が電流を運ぶタイプ。 {{半導体}} …5キロバイト (190 語) - 2025年1月27日 (月) 09:39
- [[電気伝導体|導体]]または、[[半導体]]に電場をかけると、伝導電子、[[正孔]]が移動する。このとき、伝導電子（または、正孔）は導体（または、半導体）中の原子と衝突を繰り返しながら、伝導する。このとき、衝突から衝突までにかかる平均的な時間を表す値として平均自由時間が用いられる。平均自由時間は、[[オ …2キロバイト (40 語) - 2024年3月20日 (水) 13:53
- [[半導体]]における質量作法の法則の式は、 [[Category:半導体]] …3キロバイト (218 語) - 2020年1月10日 (金) 01:47
- [[半導体]]では、電子と[[正孔]]（ホール）が電荷担体となる。正孔とは[[価電子帯]]の空席になっている部分を粒子のように移動するものと捉えた見方であり、正の [[Category:半導体]] …3キロバイト (39 語) - 2024年7月19日 (金) 08:03
- …）または、'''ピエゾ抵抗効果'''（ピエゾていこうこうか、{{Lang-en-short|piezoresistive effect}}）とは、[[半導体]]や[[金属]]に機械的な[[ひずみ]]を加えたときにその[[電気抵抗]]が変化する効果である。[[圧電効果]]（ピエゾ電気効果、{{Lang-en- …4キロバイト (87 語) - 2018年7月19日 (木) 06:21
- …飽和電流'''（'''saturation current''', '''scale current'''）、より正確に'''逆飽和電流'''は、[[半導体]][[ダイオード]]に逆バイアス電圧を印加した時にわずかに流れる逆電流である。中性領域から[[空乏層]]への少数キャリアの拡散によって引き起こされる。 [[Category:半導体]] …3キロバイト (184 語) - 2023年2月7日 (火) 06:44
- 2キロバイト (68 語) - 2024年1月18日 (木) 17:22
- 3キロバイト (184 語) - 2022年3月26日 (土) 00:47
- …のキャリアの種類と密度がわかる。また、金属は[[半導体]]に比べキャリア密度が大きく、ホール電圧が微小な値となるため、この現象を利用した物性測定は[[半導体]]が主である。 * [[半導体]]-[[ホール素子]] …7キロバイト (343 語) - 2022年8月30日 (火) 13:18
- …math><ref><math>\hbar</math> は[[ディラック定数]]。</ref>である。プラズモンは[[絶縁体]]、[[金属]]、[[半導体]]、[[半金属]]のほか、大きな[[原子]]や[[分子]]において観測されている。半導体や半金属中の自由担体によるプラズモンのエネルギーは <math …4キロバイト (77 語) - 2021年11月23日 (火) 17:08
- *[[ドープ|ドーピング]]を行った[[半導体]]において。ドーピングにより導入される不純物が進入する深さは有限であり、ある厚さをもった膜とみなせる。 [[Category:半導体]] …4キロバイト (225 語) - 2022年12月16日 (金) 14:07
- 例えば、[[半導体]]InP<sub>''x''</sub>As<sub>1-''x''</sub>を考えると、組成濃度と[[格子定数]]<math>\mathit{a} …2キロバイト (182 語) - 2024年1月28日 (日) 09:39
- 異なる[[金属]]または[[半導体]]に[[熱力学的温度|温度]]差を設けると[[電圧]]が発生する。この電圧は温度差 1 [[ケルビン|K]] あたり数 [[マイクロ|μ]][[ボルト [[半導体]]では、ゼーベック係数の符号によって[[半導体#半導体の型|キャリア]]が[[電子]]（[[電荷]]が負）か[[正孔]]（電荷が正）かを判断することができる。 …6キロバイト (165 語) - 2024年7月27日 (土) 02:57
- ==半導体== キャリア密度は[[半導体]]で重要であり、[[ドープ|ドーピング]]過程で重要な量である。[[バンド理論]]を用いると、電子密度 <math>n_0</math>は伝導帯での体 …6キロバイト (392 語) - 2020年4月2日 (木) 11:13
- …半導体]]のこと。非縮退半導体とは異なり、この種の半導体は、固有[[電荷担体|キャリア]]濃度を温度やバンドギャップと関連付ける[[質量作用の法則 (半導体)|質量作用の法則]]に従わない。 中程度の[[ドーピング (半導体)|ドーピング]]濃度では、[[ドーパント]]原子は個々のドーピング[[不純物半導体#フェルミ準位|準位]]を形成し、熱的促進（または[[遷移#量子論に …9キロバイト (526 語) - 2024年4月29日 (月) 06:14